Mengapa Giant Semikonduktor Memperluaskan Penggunaan Fluorin Ketulenan Tinggi (Campuran F2)?

Menurut Laporan Kelestarian 2024 SK Hynix yang dikeluarkan baru-baru ini, Hynix akan menggantikangas nitrogen trifluoridadigunakan dalam proses pembersihan semikonduktor dengan gas potensi pemanasan global rendah (GWP) yang lebih mesra alam. Dilaporkan bahawa proses ini menggunakancampuran gas fluorin ketulenan tinggi (Campuran F2).

Dalam proses etsa pengeluaran semikonduktor, struktur terukir ke dalam semikonduktor. Langkah ini berlaku dalam apa yang dipanggil etsa. Bahan terukir juga memendap di dinding alat etsa, jadi proses berasingan diperlukan untuk membersihkan alat. Dalam kebanyakan kes, ia dibersihkan denganNF3, tetapi terdapat pengukir di pasaran yang menggunakan acampuran gas F2/N2 ketulenan tinggi.

Campuran gas ini mengeluarkan sebatian SiO2 dan Si3N4 dengan cara yang mesra alam dan boleh menggantikanNF3sebagai gas pembersih. Selain itu, GWP (Global Warming Potential) bagi campuran F2/N2 adalah sifar berbanding NF3 17900. Campuran gas F2/N2 juga boleh menggantikangas pembersih lain seperti CF4 atau C2F6.

SOLVAY telah membangunkan dan mematenkan campuran gas fluorin yang berbeza. Sebagai gas mesra alam untuk proses pembersihan CVD, Solvaclean® menggunakan lebih sedikit gas setiap kitaran dan oleh itu lebih cekap, walaupun mempunyai kadar pembersihan yang serupa berbanding dengan alternatif. Jika F2 dilepaskan ke persekitaran, ia serta-merta terurai menjadi HF. HF diserap oleh lembapan dan seterusnya dihanyutkan oleh hujan. Tiada apa yang tinggal di atmosfera. Produk Solvaclean® mempunyai sifar GWP (Potensi Pemanasan Global).

Dilaporkan bahawa pengeluar cip seperti Hynix dan Samsung sedang berusaha untuk mengembangkan aplikasi gas campuran fluorin ketulenan tinggi (F2 Mix).

Satu lagi gas yang semakin digunakan ialahhidrogen fluorida (HF), yang digunakan dalam peralatan etsa kriogenik. HF mempunyai GWP 1 atau kurang, jauh lebih rendah daripada gas fluorokarbon yang digunakan pada masa lalu untuk etsa lubang saluran NAND.Gas keluarga fluorokarbon karbon tetrafluorida (CF4)dan octafluorocyclobutane (C4F8) mempunyai GWP 6030 dan 9540, masing-masing.

Peralihan yang dinyatakan di atas dalam penggunaan gas juga dijangka memberi kesan kepada prestasi berkaitansyarikat gas khusus elektronik.